IGBT系列的特点主要表现在以下几个方面：

1. 电压驱动：IGBT采用电压驱动，具有高输入阻抗和低导通压降的优点。这意味着在导通状态下，IGBT可以具有高速开关特性和低导通状态损耗。
2. 复合全控型：IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
3. 高频率：IGBT具有高频率特性，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
4. 大电流：IGBT可以承载大电流，这意味着它可以应用于需要处理大量电流的场合。
5. 易于开关：IGBT的开关性能优良，驱动功率小，同时饱和压降低。
6. 模块化：IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

总的来说，IGBT系列是一种**、可靠的功率半导体器件，适用于各种需要同时处理电压和电流的场合